王善朋，1979年6月生，山东青岛人，教授、博士生导师，山东大学“齐鲁青年学者”特聘教授。2013-2014作为访问学者赴德国康斯坦茨大学物理系进行合作研究，现为山东大学晶体材料国家重点实验室青年学术骨干，主要研究兴趣包括：（1）新型高效红外非线性光学晶体的生长与激光性能研究（2）无机光电功能材料的固相合成与性能研究（3）新型二维层状晶体制备与光电性能研究（4）高分辨THz时域光谱及超快载流子动力学研究。近年来，主持承担国家自然科学基金面上、国家自然科学联合基金重点、山东省自然科学基金面上、教育部联合基金、基础科研、创新基金、国家重点实验室课题等10余项，作为学术骨干参与国家重大基础项目等。在ACS Nano, Adv.Funct. Mater.,Adv.Opt. Mater.,Infomat, Chem. Mater.,Cryst. Growth Des., Phys. Rev. B, Opt. Lett., Opt. Express等国际权威期刊发表SCI论文50余篇，授权发明专利10余项。受邀在国际国内学术会议做学术报告10余次，2015年全国晶体生长与材料学术会议上做邀请报告并被评为“青年优秀论文奖”。担任中国稀土学会稀土晶体专业委员会委员，中国兵工学会非线性光学技术与应用专业委员会委员，受邀担任国际期刊《Crystals》编委、《人工晶体学报》青年编委以及Adv.Funct. Mater.,Adv.Opt. Mater.,Chem. Mater., Nano Scale, Cryst. Growth & Des., Inorg. Chem., J. Cryst. Growth等期刊审稿人。作为第一负责人制定国家标准1项，行业标准（惯约标准）1项。

教育及工作经历

2018.01 —至今山东大学齐鲁青年学者

2017.09—至今山东大学晶体材料研究所博士生导师

2015.09—至今山东大学晶体材料研究所教授

2013.01—2014.01德国康斯坦茨大学访问学者

2009.12—至今山东大学晶体材料研究所副教授

2007.07—2009.07山东大学晶体材料研究所讲师

2007.12—2009.12山东大学晶体材料研究所师资博士后

2002.09—2007.06山东大学晶体材料研究所工学博士

承担人才、科研项目情况

1.国家自然科学联合基金重点项目，102 /306万，在研，课题负责人

2.国家自然科学基金面上项目，76.8万，结题，主持。

3.国家自然科学基金青年项目，20万，结题，主持。

4.教育部联合基金面上项目，100万，在研，主持。

5.山东省自然基金面上项目，10万，在研，主持。

6.基础科研项目，200万，完成，主持。

7.创新基金，70万，完成，主持。

8.山东省自然基金面上项目，17万，完成，主持。

9.山东大学齐鲁青年学者项目，80万，在研，主持。

10.预研项目，500万，完成，骨干参与。

11.科技部973课题，684万，完成，骨干参与。

代表性论文

1. Wang, Z.; Luo, P.; Han, B.; Zhang, X.; Zhao, S.; Wang, S.; Chen, X.; Wei, L.; Yang, S.; Zhou, X.; Wang, S.; Tao, X.; Zhai, T., Strong In-Plane Anisotropic SiP₂as a IV-V 2D Semiconductor for Polarized Photodetection.ACS Nano2021,15(12), 20442-20452.

2. Wang, Z.; Qiao, J.; Zhao, S.; Wang, S.; He, C.; Tao, X.; Wang, S., Recent progress in terahertz modulation using photonic structures based on two-dimensional materials.InfoMat2021,3(10), 1110-1133.

3. Mi, M. J.; Zheng, X. W.; Wang, S. L.; Zhou, Y.; Yu, L. X.; Xiao, H.; Song, H. N.; Shen, B.; Li, F.; Bai, L. H.; Chen, Y. X.; Wang, S. P.; Liu, X. H.; Wang, Y. L., Variation between Antiferromagnetism and Ferrimagnetism in NiPS₃by Electron Doping.Advanced Functional Materials2022,32(29), 2112750.

4. Zhao, S. Q.; Luo, P.; Yang, S. J.; Zhou, X.; Wang, Z. M.; Li, C. L.; Wang, S. P.; Zhai, T. Y.; Tao, X. T., Low-Symmetry and Nontoxic 2D SiP with Strong Polarization-Sensitivity and Fast Photodetection.Advanced Optical Materials2021,9(9), 2100198.

5. Yu, T.; Nie, H.; Wang, S.; Zhang, B.; Zhao, S.; Wang, Z.; Qiao, J.; Han, B.; He, J.; Tao, X., Two-Dimensional GeP-Based Broad-Band Optical Switches and Photodetectors.Advanced Optical Materials2020,8(2), 1901490.

6. Yu, T.; Wang, S.; Zhang, X.; Li, C.; Qiao, J.; Jia, N.; Han, B.; Xia, S.-Q.; Tao, X., MnSiP2: A New Mid-IR Ternary Phosphide with Strong SHG Effect and Ultrabroad Transparency Range.Chemistry of Materials2019,31(6), 2010-2018.

7. Qiao, J.; Wang, S. P.; Wang, Z. M.; He, C.; Zhao, S. Q.; Xiong, X. X.; Wang, S. L.; Zhang, X. X.; Tao, X. T., Ultrasensitive and Broadband All-Optically Controlled THz Modulator Based on MoTe₂/Si van der Waals Heterostructure.Advanced Optical Materials2020,8(17), 2000160.

8. Zhang, X.; Wang, S.; Lee, C.-K.; Cheng, C.-M.; Lan, J.-C.; Li, X.; Qiao, J.; Tao, X., Unravelling the effect of sulfur vacancies on the electronic structure of the MoS₂crystal.Physical Chemistry Chemical Physics2020,22(38), 21776-21783.

9. Li, C.; Wang, S.; Li, C.; Yu, T.; Jia, N.; Qiao, J.; Zhu, M.; Liu, D.; Tao, X., Highly sensitive detection of polarized light using a new group IV–V 2D orthorhombic SiP.Journal of Materials Chemistry C2018,6(27), 7219-7225.

10. Jia, N.; Wang, S.; Wang, P.; Li, C.; Yu, T.; Qiao, J.; Li, C.; Xiong, X.; Sun, J.-L.; Tao, X., Ultrasensitive photodetectors based on a high-quality LiInSe₂single crystal.Journal of Materials Chemistry C2018,6(46), 12615-12622.

11. Jia, N.; Wang, S.; Gao, Z.; Wu, Q.; Li, C.; Zhang, X.; Yu, T.; Lu, Q.; Tao, X., Optimized Growth of Large-Sized LiInSe₂Crystals and the Electric–Elastic Properties.Cryst. Growth Des.2017,17(11), 5875-5880.

12. Wang, S.; Dai, S.; Jia, N.; Zong, N.; Li, C.; Shen, Y.; Yu, T.; Qiao, J.; Gao, Z.; Peng, Q.; Xu, Z.; Tao, X., Tunable 7-12 μm picosecond optical parametric amplifier based on a LiInSe₂mid-infrared crystal.Optics Letters2017,42(11), 2098-2101.

13. Liang, Q.; Wang, S.; Tao, X.; Dekorsy, T., Temperature dependence of free carriers and optical phonons in LiInSe₂in the terahertz frequency regime.Physical Review B2015,92(14), 144303.

14. Zhao, S.; Yu, T.; Wang, Z.; Wang, S.; Wei, L.; Chen, X.; Wang, S., Flux Method Growth of Large Size Group IV–V 2D GeP Single Crystals and Photoresponse Application.Crystals2021,11(3), 235.

15. Jia, N.; Xiong, X.; Wang, S.; Yu, T.; Han, B.; Qiao, J.; Li, C.; Tao, X., Optimized oriented seed growth and optical properties of high-quality LiInSe₂crystals.CrystEngComm2018,20(48), 7802-7808.

16. Li, C.; Wang, S.; Zhang, X.; Jia, N.; Yu, T.; Zhu, M.; Liu, D.; Tao, X., Controllable seeded flux growth and optoelectronic properties of bulk o-SiP crystals.CrystEngComm2017,19(46), 6986-6991.

17. Yu, T.; Wang, S.; Ruan, H.; Li, C.; Zhang, X.; Jia, N.; Zhang, J.; Tao, X., Flux growth and characterization of an FeSi₄P₄single crystal.RSC Advances2017,7(76), 47938-47944.

18. Zhang, X.; Lou, F.; Li, C.; Zhang, X.; Jia, N.; Yu, T.; He, J.; Zhang, B.; Xia, H.; Wang, S.; Tao, X., Flux method growth of bulk MoS₂single crystals and their application as a saturable absorber.CrystEngComm2015,17(21), 4026-4032.

19. Zhang, X.; Yu, T.; Li, C.; Wang, S.; Tao, X., Synthesis and Crystal Structures of the Calcium Silicon Phosphides Ca₂Si₂P_4,Ca₃Si₈P₁₄and Ca₃Si₂P₄.Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie2015,641(8-9), 1545-1549.

20. Wang, S.; Gao, Z.; Zhang, X.; Zhang, X.; Li, C.; Dong, C.; Lu, Q.; Zhao, M.; Tao, X., Crystal Growth and Effects of Annealing on Optical and Electrical Properties of Mid-Infrared Single Crystal LiInS₂.Cryst. Growth Des.2014,14(11), 5957-5961.

21. Qiao, J.; Liang, Q.; Wang, S.; Xiong, X.; Tao, X.; Dekorsy, T., Optimized seeded Bridgman growth and temperature dependent THz optical properties of LiInS₂crystals.CrystEngComm2019,21(16), 2614-2619.

授权发明专利

1.王善朋，陶绪堂，蒋民华,多元化合物红外晶体生长装置,专利号：200810138560.8,中国, 2010.7.14

2.陶绪堂，王善朋，刘贯东，蒋民华,硫族化合物多晶原料的两步合成方法,专利号：200910019454.2,中国, 2011.10.12

3.陶绪堂，王善朋，刘贯东，蒋民华，一种LiGa₃Te₅单晶体及其制备方法和应用,专利号：201010292892.9,中国, 2012.10.17.

4.陶绪堂，张国栋，王善朋，施琼，阮华棚，蒋民华，磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置，专利号：201110083468.8,中国, 2012.7.04

5.陶绪堂，张国栋，王善朋，施琼，阮华棚，蒋民华，磷硅镉单晶的生长方法,专利号：201110083331.2,中国, 2012.6.27

6.陶绪堂，张国栋，王善朋，施琼，阮华棚，蒋民华，磷硅镉多晶料的合成方法，专利号：201110083363.2,中国, 2012.6.27.

7.陶绪堂，张西霞，王善朋，一种金属助熔剂法生长过渡金属硫属化合物晶体的方法，专利号：ZL201510172682.9，中国, 2017.4.5.

8.王善朋，陶绪堂，李春龙，于童童，正交相二维层状SiP单晶及薄膜的制备方法及其应用，专利号：ZL201610590752.7,中国, 2018.10.16.

9.王善朋，陶绪堂，张翔，于童童，一种室温铁磁半导体材料MnSiP2及其制备方法和应用，专利号：ZL201610590747.6,中国, 2018.5.4.

10.王善朋，陶绪堂，于童童，赵淑琪，张百涛，何京良，二维层状GeP单晶纳米薄膜的制备及应用，专利号：ZL201910826293.1,中国, 2021.09.28.

11.陶绪堂，王善朋，董春明，蒋民华,多元金属无机硫族化合物的高压釜合成方法，专利号：ZL200610068497.6中国, 2008.2.13.

制定标准

1.王善朋，陶绪堂，孙洵等。单轴晶光学晶体折射率测量方法，国家标准，GB/T39865-2021，2021.10.1

2.王善朋，李春龙，陶绪堂，孙洵等。KDP/DKDP晶体材料折射率测量方法—垂直入射法，行业标准（惯约标），GYB21-2018，2018.5.1

联系方式

电话：0531-88364180，E-Mail：wshp@sdu.edu.cn

本年度拟招收硕士1-2名，博士1名，专业：材料学、物理学、光学等。